类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

厂商

操作温度

包装

系列

零件状态

类型

最高工作温度

最小工作温度

子类别

最大功率耗散

技术

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

配置

通道数量

元素配置

功率耗散

接通延迟时间

功率 - 最大

场效应管类型

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

产品类别

晶体管类型

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

输入电容

信道型

场效应管特性

漏源电阻

产品

产品类别

高度

长度

宽度

辐射硬化

MSCSM170AM15CT3AG
MSCSM170AM15CT3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

微芯片技术

微芯片技术

Details

Bulk

活跃

181A (Tc)

MSCSM170

1

Microchip

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

Discrete Semiconductor Modules

862W (Tc)

2 N Channel (Phase Leg)

15mOhm @ 90A, 20V

3.2V @ 7.5mA

9900pF @ 1000V

534nC @ 20V

1700V (1.7kV)

Discrete Semiconductor Modules

Silicon Carbide (SiC)

Discrete Semiconductor Modules

MSCSM70TAM19T3AG
MSCSM70TAM19T3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

微芯片技术

1.9 V

365 W

N-Channel

+ 175 C

- 10 V, 23 V

- 40 C

1

螺钉安装

Microchip

微芯片技术

19 mOhms

Details

50 ns

124 A

Bulk

活跃

124A (Tc)

700 V

40 ns

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

Discrete Semiconductor Modules

Triple

365W (Tc)

6 N-Channel (Phase Leg)

19mOhm @ 40A, 20V

2.4V @ 4mA

4500pF @ 700V

215nC @ 20V

40 ns

700V

Discrete Semiconductor Modules

Silicon Carbide (SiC)

功率MOSFET模块

Discrete Semiconductor Modules

MSCSM120AM11T3AG
MSCSM120AM11T3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

微芯片技术

1.8 V

1.067 kW

N-Channel

+ 175 C

- 10 V, 23 V

- 40 C

1

螺钉安装

Microchip

微芯片技术

10.4 mOhms

Details

50 ns

254 A

254A (Tc)

活跃

Bulk

1200 V

30 ns

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

Phase Leg SiC MOSFET Power Module

Discrete Semiconductor Modules

SiC

Dual

1.067kW (Tc)

2 N Channel (Phase Leg)

10.4mOhm @ 120A, 20V

2.8V @ 9mA

9060pF @ 1000V

696nC @ 20V

30 ns

1200V (1.2kV)

Discrete Semiconductor Modules

Silicon Carbide (SiC)

功率MOSFET模块

Discrete Semiconductor Modules

NX6008NBKSX
NX6008NBKSX
Nexperia USA Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

6-TSSOP

Nexperia USA Inc.

5 ns

220 mA

活跃

220mA (Ta)

60 V

1 ns

900 mV

286 mW

N-Channel

+ 150 C

- 8 V, + 8 V

- 55 C

3000

SMD/SMT

1 S

Enhancement

934662515115

Nexperia

Nexperia

460 pC

2.7 Ohms

Details

-55°C ~ 150°C (TJ)

MouseReel

-

MOSFETs

Dual

2 Channel

260mW (Ta), 1.3W (Tc)

2 N-Channel (Dual)

2.7Ohm @ 300mA, 4.5V

900mV @ 250μA

27pF @ 30V

0.7nC @ 4.5V

2 ns

60V

MOSFET

Trench MOSFET

Standard

MOSFET

UT6K3TCR1
UT6K3TCR1
Rohm Semiconductor 数据表

3000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-PowerUDFN

HUML2020L8

Rohm Semiconductor

2 W

N-Channel

+ 150 C

- 12 V, + 12 V

3000

SMD/SMT

Enhancement

ROHM 半导体

ROHM 半导体

4 nC

42 mOhms

Details

13 ns

5.5 A

活跃

5.5A (Ta)

30 V

7.2 ns

1.5 V

150°C (TJ)

MouseReel

MOSFETs

Si

Dual

2 Channel

2W (Ta)

2 N-Channel (Dual)

42mOhm @ 5A, 4.5V

1.5V @ 1mA

450pF @ 15V

4nC @ 4.5V

5.8 ns

30V

MOSFET

Standard

MOSFET

SP8K32HZGTB
SP8K32HZGTB
Rohm Semiconductor 数据表

2500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

8-SOP

Rohm Semiconductor

40 ns

4.5 A

活跃

4.5A (Ta)

AEC-Q101

N通道

4.5A

60 V

12 ns

2.5 V

2 W

+ 150 C

- 20 V, + 20 V

- 55 C

2500

SMD/SMT

Enhancement

ROHM 半导体

ROHM 半导体

10 nC

65 mOhms

Details

150°C (TJ)

切割胶带

-

MOSFETs

Si

Dual

2 Channel

2W (Ta)

2 N-Channel (Dual)

65mOhm @ 4.5A, 10V

2.5V @ 1mA

500pF @ 10V

10nC @ 5V

18 ns

60V

MOSFET

2 N-Channel

N通道

Standard

MOSFET

EPC2221
EPC2221
EPC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

Die

Die

EPC

活跃

5A

150°C (TJ)

-

-

2 N-Channel (Dual) Common Source

-

-

-

-

100V

GaNFET (Gallium Nitride)

IXFT60N20F
IXFT60N20F
IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

60

38@10V

100@10V

100

2930@25V

320000

7

14

42

15

-55

150

表面贴装

5.1(Max)

14(Max)

16.05(Max)

2

Tab

TO-268-AA

TO-268

Gull-wing

Obsolete

3

Single

N

SPP11N65C3HKSA1
SPP11N65C3HKSA1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

380@10V

Infineon Technologies

通孔

Tube

SPP11N65

11A (Tc)

活跃

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

CoolMOS

Enhancement

1

650

±20

11

45@10V

45

1200@25V

125000

5

5

44

10

-55

150

通孔

9.25

4.4

10

3

Tab

TO-220

TO-220

Tube

CoolMOS™

Unconfirmed

3

Single

N

MDP1901TH
MDP1901TH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

3

22@10V

TO-220

TO-220

1

Compliant

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

100

±20

4

36

100

1

75@10V

75

3045@30V

34000

20

12

70

25

-55

150

通孔

9.65(Max)

4.83(Max)

10.67(Max)

3

Tab

Tube

活跃

150 °C

-55 °C

3

Single

34 W

36 A

20 V

N

无

MDQ16N50GTP
MDQ16N50GTP
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

3

350@10V

TO-247

通孔

1

Compliant

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

500

±30

5

16.5

100

1

34.9@10V

34.9

1724@25V

215000

41

88.5

96.5

46

-55

150

通孔

21.46(Max)

5.31(Max)

16.26(Max)

3

Tab

TO-247

Tube

Unconfirmed

150 °C

-55 °C

3

Single

215 W

16.5 A

30 V

N

无

MDQ23N50DTP
MDQ23N50DTP
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

3

245@10V

TO-247

通孔

1

Compliant

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

500

±30

4

23

100

1

76@10V

76

3280@25V

290000

195

155

230

50

-55

150

通孔

21.46(Max)

5.31(Max)

16.26(Max)

3

Tab

TO-247

Tube

活跃

150 °C

-55 °C

3

Single

290 W

23 A

30 V

N

无

MMD70R900PRH
MMD70R900PRH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

900@10V

150

表面贴装

2.39(Max)

6.1

6.73(Max)

2

Tab

TO-252

DPAK

Gull-wing

Non-Compliant

,

MMD70R900PRH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.72

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

超级交界处

Enhancement

1

700

±30

4

5

100

1

15@10V

15

430@25V

40000

21

25

37

11

-55

卷带

活跃

unknown

3

Single

N

MDP1923TH
MDP1923TH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

3

13.9@10V

150

通孔

9.65(Max)

4.83(Max)

10.67(Max)

3

Tab

TO-220

TO-220

Non-Compliant

32.5 ns

,

未说明

有

MDP1923TH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.74

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

100

±20

4

69

100

1

42.8@10V

42.8

2802@40V

139000

11.9

10.1

32.5

10.6

-55

Tube

150 °C

-55 °C

139 W

未说明

unknown

3

Single

Single

10.6 ns

69 A

20 V

2.802 nF

N

13.9 mΩ

16.51 mm

10.67 mm

4.83 mm

MMFT60R380PTH
MMFT60R380PTH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

380@10V

150

通孔

15.3(Max)

4.7(Max)

10.3(Max)

3

Tab

TO-220F

TO-220FT

通孔

Non-Compliant

,

MMFT60R380PTH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.7

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

超级交界处

Enhancement

1

600

±30

4

11

100

1

28@10V

28

890@25V

31000

30

40

80

18

-55

Tube

Unconfirmed

unknown

3

Single

N

MDP1723TH
MDP1723TH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.3@10V

TO-220

TO-220

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

40

±20

4

191

100

1

88.3@10V

88.3

5755@20V

138900

42.7

14.7

84.8

24.3

-55

150

通孔

9.65(Max)

4.83(Max)

10.67(Max)

3

Tab

Tube

3

Single

N

MDF9N60TH
MDF9N60TH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

750@10V

通孔

16.13(Max)

4.93(Max)

10.71(Max)

3

Tab

TO-220

TO-220F

通孔

,

未说明

有

MDF9N60TH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.69

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

600

±30

5

9

100

1

27@10V

27

1160@25V

48000

30

59

48

31

-55

150

Tube

Unconfirmed

未说明

unknown

3

Single

N

MDF10N65BTH
MDF10N65BTH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1000@10V

通孔

16.13(Max)

4.93(Max)

10.71(Max)

3

Tab

TO-220

TO-220F

通孔

,

未说明

有

MDF10N65BTH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.74

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

650

±30

4

10

100

1

29.3@10V

29.3

1202@25V

47700

49

48

96.5

19.4

-55

150

Tube

活跃

未说明

unknown

3

Single

N

MDF4N65BTH
MDF4N65BTH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2200@10V

10.71(Max)

3

Tab

TO-220

TO-220F

通孔

未说明

有

MDF4N65BTH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.74

Compliant

EAR99

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

650

±30

4

4

100

1

11.6@10V

11.6

518@25V

35000

25

22

41

13

-55

150

通孔

16.13(Max)

4.93(Max)

Tube

活跃

未说明

unknown

3

Single

N

MDQ18N50GTP
MDQ18N50GTP
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

270@10V

TO-247

通孔

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

500

±30

5

20

100

1

48@10V

48

2430@25V

245000

45

80

174

87

-55

150

通孔

21.46(Max)

5.31(Max)

16.26(Max)

3

Tab

TO-247

Tube

Unconfirmed

3

Single

N

BSH111BKR
BSH111BKR
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3(Max)

3

SOT

SOT-23

Gull-wing

Compliant

EAR99

8541.21.00.75

有

无

无

小信号

TMOS

Enhancement

1

55

10

1.3

0.21

5000

1

[email protected]

[email protected]

19.1@30V

364

4.8

8.4

12.6

8.3

-55

150

表面贴装

1(Max)

1.4(Max)

卷带

活跃

3

Single

N

MMF80R450PTH
MMF80R450PTH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

450@10V

4.93(Max)

10.71(Max)

3

Tab

TO-220F

有

MMF80R450PTH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.68

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

超级交界处

Enhancement

1

800

±30

4

11

100

1

37.6@10V

37.6

1260@25V

33600

43

44

118

22

-55

150

通孔

16.13(Max)

Unconfirmed

unknown

3

Single

N

NTC6600NF
NTC6600NF
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

无

Non-Compliant

供应商未确认

8541.29.00.95

无

Obsolete

MMF80R1K2PTH
MMF80R1K2PTH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1200@10V

3

Tab

TO-220

TO-220F

通孔

MMF80R1K2PTH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.74

EAR99

Unknown

Unknown

功率MOSFET

超级交界处

Enhancement

1

800

±30

4

4.5

100

1

15.2@10V

15.2

483@25V

28400

20.8

21.2

44.4

12.4

-55

150

通孔

16.13(Max)

4.93(Max)

10.71(Max)

Tube

Unconfirmed

unknown

3

Single

N

IRF7807AHR
IRF7807AHR
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8

[email protected]

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

30

±12

8.3

12@5V

2500

6

17

25

12

-55

150

1

Compliant

Tube

Obsolete

150 °C

-55 °C

单四漏三源

2.5 W

8.3 A

12 V

N

无